chip 10 nanometri intel

Samsung dà il via alla produzione delle DRAM “più veloci al mondo”

Cosimo Alfredo Pina

Samsung annuncia di essere pronta a dare il via alla produzione della sua futura generazione di DRAM che promette essere la più veloce al mondo. Il fulcro di queste memorie record sono dei moduli da 4 GB basati su tecnologia TSV e architettura a 20 nm.

Nel comunicato Samsung parla di DRAM capaci di superare di ben sette volte il limite delle memorie attualmente in commercio. I moduli 4GB HBM2 DRAM puntano così a tutti quegli ambiti dove la velocità sia cruciale come calcolo parallelo, grafica e apprendimento automatico.

LEGGI ANCHE: Samsung punta al settore Enterprise con dei moduli DDR4 da 128 GB

Si parla di larghezze di banda di ben 256 GBps, il doppio della prima generazione HBM (High Bandwidth Memory) e fino a sette volte i 36 GBps delle GDDR5. I primi moduli 4GB HBM2 DRAM saranno presto disponibili ai vari produttori di hardware – per il momento si parla principalmente di schede grafiche e componenti server – e si affiancheranno ai moduli 128GB TSV DDR4 RDIMM lanciati lo scorso novembre.

Insomma Samsung si dice pronta, per questo 2016, a rivoluzionare il settore delle memorie e rincara la dose affermando che dopo quelli da 4 GB arriveranno nei prossimi mesi, ma comunque entro la fine dell’anno, anche moduli 8GB HBM2 DRAM.

Fonte: Samsung