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Nel futuro gli smartphone avranno 1 terabyte di memoria RAM

Cosimo Alfredo Pina

Le ultime ricerche portate avanti alla Rice University (Texas, USA) potrebbero rivoluzionare il mondo delle tecnologie mobili e non solo. Secondo gli scienziati del gruppo di ricerca, grazie ad un particolare forma di memoria detta “Resistive RAM” (RRAM), sarà possibile raggiungere capacità fino a 1 TB in spazi molto contenuti.

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Il materiale utilizzato per questa tecnologia è l’ossido di silicio poroso le cui cavità sono riempite con metalli nobili come oro e platino. I vantaggi del silicio sono noti da tempo all’industria dell’elettronica che lo predilige, per quasi ogni componente dei circuiti, per le sue caratteristiche come resistenza al calore, basso consumo di energia e costi contenuti.

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Il risultato della ricerca è quindi un modulo RAM ad alta densità in grado di triplicare la quantità di bits per cella, da tre a nove, e che permetterà, almeno teoricamente, di contenere 1 TB di informazioni nelle dimensioni di un francobollo; un fattore dimensionale che punta ad attirare l’attenzione del mercato dei dispositivi mobili, come smartphone e indossabili.

James Tour, il capo del team di ricerca, ha dichiarato che nelle prossime settimane stringerà un accordo con un produttore al momento anonimo. Da utilizzatori finali non possiamo che sperare nell’entrata nel mercato di questi moduli il prima possibile e siamo curiosi di vedere a quali sviluppi porterà, anche in ambito software.

 

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